Es un 60 por ciento más eficiente que su edición anterior y un 80 por ciento más rápida en la escritura y lectura de datos.
El MercurioSEÚL.- Samsung Electronics anunció que será la primera compañía que producirá memorias de 16 gigabits NAND flash, la que es la mayor capacidad de chip de memoria disponible hasta ahora.
La compañía anunció en un comunicado que los dispositivos medirán 51 nanómetros, que serán fabricados con la mejor tecnología conocida hasta hoy.
“En el lanzamiento de la NAND flash en el mundo, estamos abriendo las puertas a un mejor campo de juego para los consumidores de electrónica”, dijo Jim Elliott, director de flash marketing de Samsung Semiconductor.
El chip Samsung NAND flash de 51 nanómetros será un 60 por ciento más eficiente que las de 60 nanómetros. La empresa alcanzó este hito ocho meses después de anunciar la producción de su chip de 60 nanómetros de 8 Gb NAND flash el pasado agosto.
El nuevo dispositivo de 16 Gb tiene una estructura célular multinivel (MCL) que puede facilitar la capacidad de expansión ofreciendo 16 gigabytes de memoria en una sola tarjeta.
Además, aplicando la nueva tecnología de proceso, Samsung ha acelerado la velocidad lectura y escritura del chip en aproximadamente un 80 por ciento sobre las actuales.
La memoria flash NAND lee y escribe datos en unidades llamadas “pages” (páginas), las que pesan 2KB en el chip de 60 nanómetros, pero el de 51 nanómetros, son de 4KB, es decir, cerca de el doble.
Samsung ya ofrece software optimizado para celulares que en los que se puede escuchar música y para reproductores MP3 que ya tienen esta tecnología y deseen actualizarla.
Se espera que estén disponibles a fines de este año.